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  随着半导体工艺的发展,刻蚀和沉积的腔室条件复杂性增加,特别是等离子参与的工艺过程。国内目前对于工艺流程的设计和设备制造这样一个复杂的过程,大多基于经验来调试,这种方法使得开发周期长、调试成本增加。只有首先对刻蚀沉积过程进行理论分析,然后进行计算机仿真模拟工艺过程,最后通过实验来证实工艺结果的方法,来对刻蚀和沉积的机理进行深入理解。在此基础上,通过优化腔室反应工艺参数对工艺过程进行优化,防爆电动球阀型号从而对工艺腔室的制造提供参考。同时,可以将工艺过程反应原理应用到IC器件的制造过程中,优化反应条件,防爆电动球阀型号提高器件性能。 对于工艺反应过程的理论研究,火车头内燃机烧什么分为腔室内过程和表面过程。火车头内燃机烧什么腔室内过程论文采用分子动力学的方法,解反应粒子的质量守恒方程、动量守恒方程和热平衡方程,得到腔室的反应过程。表面过程论文采用水平集方法,计算水平集函数得到反应物质界面随时间的演化过程。对于仿真模拟过程,论文采用CFD-ACE+商业软件包进行模拟,在CFD-ACE和CFD-TOPO模块中设置腔室和表面反应化学方程和参数,两个模块耦合使用对刻蚀和沉积工艺过程进行模型。对于实验验证部分,论文设计和不同基底和尺度的刻蚀和沉积工艺流程,并用多种测试方法对结果进行分析,同时提取实验参数指导工艺流程的优化。 刻蚀工艺的仿真和实验,论文主要研究了硅基底和氧化硅基底,采用ICP刻蚀方法。硅基底的刻蚀建模,使用Cl2/Ar刻蚀气体。在使用基本反应条件的基础上,改变腔室的反应条件参数,进而影响流向基底表面的中性粒子和总离子的流量。同时,论文对侧壁倾斜和底部微槽的现象进行分析,发现刻蚀副产物在侧壁的沉积、离子的能量和角度分布等因素对刻蚀形貌有显著的影响。氧化硅基底的刻蚀建模,使用CHF3/H2刻蚀气体。防爆电动球阀型号研究腔室和表面的化学反应机理,改变刻蚀深宽比和到达硅片表面的分子和离子流量比,发现刻蚀表面聚合物发生变化并最终导致刻蚀形貌的不同。最后将刻蚀机理应用到RRAM的制造中,发现流量比对关键尺寸有较大影响,并且找到最优的过刻蚀时间,优化器件性能。 沉积工艺的仿真和实验,论文主要研究了氧化硅薄膜的沉积,江小白包装印刷厂采用PECVD方法。模拟过程分析了腔室和表面反应机理,调节腔室功率和反应气体流量比,得到不同的台阶覆盖性能。实验过程进行了平面沉积和填槽沉积,采用SEM、AFM、FTIR、XPS等测试方法对薄膜性能进行表征,发现腔室条件改变会影响薄膜的物理化学性质,江小白包装印刷厂对提高薄膜性能提供参考。

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关键词: 蚀刻机原理