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作者:新闻动态

  干蚀刻:利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分,利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉 想去除的部分,从而将所需要的 线路图形留在玻璃基板上。干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。

  湿蚀刻:利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。湿蚀刻为等向性蚀刻。湿蚀刻机台便宜,蚀刻速度快,商丘包装袋印刷商丘包装袋印刷但难以精确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要大量用水,污染大 ;干蚀刻机台价格昂贵,蚀刻速度速度慢,但可以精确控制线宽能获得极其精细的图形,而且 不需要用水,污染小。

  将特定气体置于低压状态下施以电压,将其激发成各种不同的带电荷离子、原子团、分子以及电子(这种物质状态称为Plasma)并利用这些解离后带能量的反应性的离子及原子团,对特定层膜加以化学性的蚀刻及离子轰击,达到膜层去除的一种蚀刻方式。

  Dry etching中起作用的主要是radical和ion。Radical是电中性,因为化学性质很活泼,万宝压缩机所以和膜表面分子发生反应,可达到膜层去除的作用。反应生成物作为gas被排气。

  带正电的ion被selfbias的负电位吸引几乎垂直撞向基板,轰击膜层表面的分子键合,促进radical的化学反应,并使表面产生的反应物脱落。

  在高周波电场中电子被来回加速,加速后的电子轰击气体分子或原子,使分子或粒子解离出新的电子(α作用) 而产生Ion,或者使分子解离为高活性的自由基。高活性的自由基会和玻璃基板表面所镀的薄膜物质进行反应。

  因此Plasma被用在半导体,LCD行业中Etching的工艺中,多用在硅和硅的化合物(SiNx、SiOx 等)的蚀刻工艺,随着设备的改进,万宝压缩机也可用于金属铝的蚀刻。

  Plasma蚀刻设备昂贵,但生产过程中耗费的Material非常少, Plasma蚀刻的优点在于:蚀刻的精确度很好,速度快,蚀刻均一性好,化学品消耗低(较酸液蚀刻)。

  化学性时刻:利用Plasma中的反应性粒子与膜层发生化学反应,造成等向性蚀刻。

  特征:与gas 种类无关,准确度高;接触大气会产生damage,有valve的保护。

  特征:filament有一定的寿命,时间会因process不同而有所不同;根据gas的种类不同,灵敏度也不同。接触大气会产生damage,有valve的保护。

  RF接到放置基板的下电极,(因电子质量ion质量,在接近RF端会产生一自我感应负偏压)使带正电的粒子受到负偏压的吸引而加速,几乎垂直对基板进行粒子轰击(ion-bombardment),促进 radical的化学反应。

  上部是coil状的诱导电极,下部是bias电源。在线圈状电极的磁场作用下,plasma中的电子和ion会做水平方向的螺旋运动,水钻打孔机品牌因此只有少量的电子被电极吸收,电离率比其他的type高2倍,下部的bias电机吸引ion轰击基板,进行etching,能达到高密度plasma及高etch rate

  在下极板接有两个power.其中source power主要用来解离gas以产生plasma; bias power主要用来调节plasma的状态 ,以加强离子的轰击效应,所以Plasma的密度虽不是很高,但依然能达到较高的蚀刻速率。

  目的:利用etching从开始到结束特定波长光强度的变化,检测出最佳蚀刻终点, EPD测量的光的强度的变化有两种。

  1.侧蚀量小(CD Loss小) 2.形状加工控制容易 3.无废水处理问题

  缺点:CD loss较大,不易将线宽控制得极为精准等。易有under cut现象。

  相比之下,干蚀刻异向性强,水钻打孔机品牌线宽稳定性易于控制,缺点为机台设备及维护费用高,量产速度慢。

  对金属膜层及ITO膜层,采用湿蚀刻易于蚀刻速率及Taper等的控制,且设备低廉。

  Process control从蚀刻速率、均一性、CD loss基础评价,及蚀刻残留、mura、taper等出发,考虑制程能力。

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关键词: 蚀刻机原理